地方保护成电改壁垒：有地方曾出台政策限制省外购电

地方地方电Cu/PPy电极和铜电极在(c)不同压力和(d)不同电位下的甲酸盐选择性和电流密度。

保护(d-g)GO和N-rGO膜在不同热处理温度下的拉曼光谱及其对应的ID/IG。（a-f）2000°C时N-rGO膜的扫描隧道显微镜（STM）表面结构表征(a-d)和透射电子显微镜（HRTEM)截面结构表征（e-f），成电策限表明N-rGO-2000膜中丰富的位错、成电策限晶界等缺陷结构。

二．【成果掠影】基于此，改壁中国科学院金属研究所任文才团队在NationalScienceReview杂志上发表论文Defectsboostgraphitizationforhighlyconductivegraphenefilms，改壁报道了一种缺陷促进石墨化制备高导电/导热石墨烯膜的方法。曾出制省(b-c)GO和N-rGO膜在不同热处理温度下的XPSN1s谱。台政图二2000°C热处理后氮掺杂石墨烯和氧化石墨烯膜的表面和截面微观结构特点。

而研究发现，外购高温下石墨烯的晶格缺陷能够显著促进其在石墨化过程中石墨烯膜的有序化和晶粒生长，外购从而制备得到微观结构及导电和导热性能与HOPG可媲美的石墨烯膜。地方地方电图三氮掺杂石墨烯在2000-3000°C的石墨化热处理过程中晶体结构和导电导热性能的演变规律。

三．【核心创新点】通过对石墨烯膜的电子显微分析揭示了石墨烯膜在石墨化过程中的结构演变规律，保护明确了石墨烯面内和面外晶粒尺寸的表征方法，保护进一步发现了高温缺陷可显著促进石墨化过程中石墨烯膜的有序化和晶粒生长，采用氮掺杂制造高温缺陷的策略制备出了微观结构及导电和导热性能与HOPG可媲美的石墨烯膜。

成电策限原文详情：Defectsboostgraphitizationforhighlyconductivegraphenefilms.NationalScienceReview,nwad147. 本文由大嘴巴荼荼供稿。从2014年开始，改壁生意下滑，到年底相比去年总收入下降了30%40%。

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